[发明专利]一种离子束溅射镀膜堵片传感器的制备改进方法有效
| 申请号： | 201911342346.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111156892B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 戚云娟;李大全;毛昭勇;潘婷;郭姗姗;张苗 | 申请（专利权）人： | 陕西电器研究所 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;C23C14/46;B23K37/04;B05C3/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 代丽 |
| 地址： | 710025 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束溅射镀膜堵片传感器的制备改进方法。本发明所设计的传感器的结构设计上，增加了引线焊接定位结构和拉断位置机构设计，不仅提高了焊接的可操作性，且使阻值一致性和拉断位置可控性得到了显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 溅射 镀膜 传感器 制备 改进 方法 | ||
【主权项】：
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