[发明专利]一种探测二维材料晶界的方法在审
| 申请号： | 201911342818.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113092463A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;徐小志;邹定鑫;刘灿 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;C23C16/44;C23C16/26;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种探测二维材料晶界的方法。所述方法将二维材料利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，高温条件下含氧氛围中缓慢加热，使得缺陷下的铜被氧化，从而在光学显微镜下即可看到不同衬度。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观测到二维材料的晶界。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 二维 材料 方法 | ||
【主权项】：
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