[发明专利]功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201911343176.6 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN113035948B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 郭依腾;史波 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/331
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 王莉莉
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本公开涉及一种功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法。功率器件包括:N型半导体衬底;P型阱层,位于N型半导体衬底的前侧;N型发射层,位于P型阱层的前侧;沟槽,穿过N型发射层和P型阱层并延伸至N型半导体衬底的内部;第一介质层,至少覆于沟槽的底壁和侧壁;栅结构,填充于沟槽内,包括第一部分和第二部分,第一部分更加靠近沟槽的底壁,且第一部分的电阻率大于第二部分的电阻率。
搜索关键词: 功率 器件 电力 电子设备 制作方法
【主权项】:
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