[发明专利]一种平面串联耐高压二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911344891.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111081786B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 梁存宝;杜永超;铁剑锐;王鑫;孙希鹏;李晓东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/329;H01L31/044 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 李潇 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种平面串联耐高压二极管及其制备方法，所述二极管包括：衬底、浅磷扩散层、深硼扩散层、深磷扩散层、氧化隔离层、电极层和电极焊点。本申请提供的一种平面串联耐高压二极管及其制备方法，采用了Si(i)本征材料，增大了底部电阻，降低了结区外的漏电的发生，降低二极管的反向漏电流；并使用了磷隔离环的设计，减小了二极管边缘漏电，也起到了降低了二极管的反向漏电流的作用；在避免互连电极与二极管短路方面，采用了氧化隔离技术设计；结构设计中，每个单体二极管采用了大面积PN区，降低了二极管的正向导通电阻；通过串联结构将2个或多个二极管首尾连接，增大了反向结区电阻，起到了器件反向高耐压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 串联 高压 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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