[发明专利]极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201911345549.3 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111880374A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 裵根熙;朴珍洪;许晋硕;高熙英;洪成哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 曝光 设备 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911345549.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电阻式存储器装置及其操作方法
- 下一篇：一种耐腐蚀开关柜
