[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 201911347125.0 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN113113503A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 彭寿;殷新建;陈瑛;周显华 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200063 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法。所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件包括多个电池块,电池块自下而上依次包括基底、背电极层、铜铟镓硒层、缓冲层、前电极层及金属栅极,金属栅极将多个电池块串接。相较于现有技术,本发明可以显著增加电池的导电效果,有助于提升透光度。此外,本发明的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件可以增加电池在各光波段的吸收,降低电池的串联电阻,从而可以增加FF和Voc,有助于提高电池性能,尤其是有助于提高电池的光电转换效率。本发明的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件还具有电池初始性能佳、长期稳定性好等优点。本发明的制备方法简单,工艺过程易于控制,有利于提高生产良率、降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的