[发明专利]晶体硅锭的制备方法在审
| 申请号： | 201911347380.5 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113026088A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 胡彭年 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶体硅锭的制备方法，包括在坩埚底部铺设单晶籽晶层，所述坩埚内形成有第一装料空间、位于第一装料空间外周的第二装料空间；接着，在所述第一装料空间装填第一类硅料，并在所述第二装料空间装填第二类硅料，所述第二类硅料的最大体积小于第一类硅料的平均体积；最后，加热并经定向凝固得到晶体硅锭。通过在坩埚内不同区域分别装设体积不同的第一类硅料与第二类硅料，使得邻近坩埚侧壁的区域具有更多的间隙空间，且所述第二类硅料相对体积与质量较小，能够通过自身位置移动或扭转，有效释放应力，降低坩埚破裂风险。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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