[发明专利]微米级台阶高度标准样块的制备方法有效
| 申请号： | 201911348036.8 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111137846B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 冯亚南;梁法国;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;张晓东;吴爱华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01B21/04;G01B21/08 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 台阶 高度 标准 制备 方法 | ||
【主权项】：
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