[发明专利]一种CVD单晶金刚石籽晶和生长层的分离方法在审
| 申请号： | 201911348078.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110983435A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 黄翀;陈芳兴 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/04;B28D5/00 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区文轩路2*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种CVD单晶金刚石籽晶和生长层的分离方法，该方法先对结合体的籽晶面进行预处理，再分别采用单向和双向激光切割法切除结合体外表面上的多晶，然后对结合体的生长层面进行抛光、清洗，接着采用双向激光切割法分离籽晶和生长层，最后分别对籽晶和生长层进行抛光、清洗，得到分离的籽晶和生长层。本发明提供的方法采用双向激光切割法分离籽晶和生长层，相比现有的单向重复切割法能够节省30～50％的时间。此外，本发明采用双向激光切割法相向切割两次即可实现籽晶和生长层的分离，相比现有的单向重复切割法可降低0.1～0.3mm厚度的单晶损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 金刚石 籽晶 生长 分离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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