[发明专利]一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法有效
| 申请号： | 201911349059.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111162018B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 潘婷;李大全;毛昭勇;戚云娟;薛晓婷;李敏 | 申请（专利权）人： | 陕西电器研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01B7/16 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 刘芳;仇蕾安 |
| 地址： | 710025 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量技术领域。本方法采用等离子体刻蚀在惠斯通电桥桥臂上刻蚀零位调整电阻，通过调整惠斯通电桥桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。本发明所述方法能够实现初始零位偏差值较大的薄膜传感器的零位调整，调整过程环保无污染，而且调整后的薄膜传感器使用温度范围宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 调整 薄膜 传感器 零位 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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