[发明专利]一种硅碳负极及其制备方法有效
| 申请号： | 201911349872.8 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111129427B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 孙敏敏;范欢欢 | 申请（专利权）人： | 桑德新能源技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/133;H01M4/134;H01M4/1391;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 张拥 |
| 地址： | 101100 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅碳负极及其制备方法，该硅碳负极包括集流体、涂覆于集流体上的活性材料层和涂覆于活性材料层上的功能涂层；功能涂层包括聚吡咯和单壁碳纳米管，聚吡咯与单壁碳纳米管形成三维网状导电网络。本发明还提供了硅碳负极的制备方法，包括：(1)在集流体上涂覆活性材料层浆料；(2)在集流体的活性材料层上涂覆功能涂层浆料，得到硅碳负极；功能涂层浆料采用以下方法制备得到：将吡咯单体分散于包含单壁碳纳米管的溶液中制备得到功能涂层浆料；在反应过程中，吡咯单体聚合形成聚吡咯，聚吡咯与单壁碳纳米管形成三维网状导电网络。本发明的硅碳负极抑制了硅系锂离子电池的硅碳负极的体积膨胀，并提高了硅碳负极的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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