[发明专利]一种栅线钝化接触PERC太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201911350500.7 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111029441A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 吴波;黄海深;杨秀徳;李平;周庭艳 | 申请(专利权)人: | 遵义师范学院 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 幸云杰 |
地址: | 563000 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本方案公开了太阳能电池领域的一种栅线钝化接触PERC太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:步骤一、制绒、步骤二、扩散;步骤三、刻蚀;步骤四、表面氧化;步骤五、制备磷重掺杂的非晶硅层:采用磷烷与硅烷LPCVD共沉积或PECVD的方式在硅片表面制备一层厚度为30~300nm的N型非晶硅层;步骤六、印刷;步骤七、去油墨刻蚀;步骤八、氧化;步骤九、制备钝化结构:硅片的背面制备氧化铝与氮化硅叠层钝化结构,硅片的正面制备氮化硅钝化结构;步骤十、开孔、步骤十一、印刷:硅片的背面和正面印刷浆料,再进行烧结,即得到成品,即为栅线钝化接触PERC太阳能电池。本申请减少了PERC电池正面金属栅线接触带来的金属复合,增加了开路电压和填充因子,增加了短路电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 钝化 接触 perc 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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