[发明专利]一种暴露半导体衬底的方法在审
| 申请号： | 201911350994.9 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110987577A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周炳;江秉闰;许新佳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种暴露半导体衬底的方法，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层；用多晶硅蚀刻液浸泡去除所述半导体多晶层，暴露出所述半导体衬底。本发明可避免损伤半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 暴露 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港意发功率半导体有限公司，未经张家港意发功率半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911350994.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
