[发明专利]一种高能中子照相用成像板及其制备方法有效
| 申请号： | 201911351035.9 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111025375B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吴洋;唐彬;彭述明;钱达志;霍合勇;尹伟;李航;孙勇;刘斌;曹超;王胜;朱世雷;姚健;陈玉山;李江波;张旸 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;张保朝 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高能中子照相用成像板及其制备方法，该方案包括有从上至下依次重叠设置的伽马过滤层、荧光层、支撑层和铁磁层，主要通过荧光粉制备、涂布以及成型三个步骤制备。该方案利用中子与含氢材料内的氢原子发生核反应产生反冲质子，反冲质子和成像板内的荧光存贮材料发生反应形成中子束流空间分布的潜像，此潜像可通过专用的成像板激光扫描设备读出，从而实现高能中子探测，填补了国内外的技术空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能 中子 照相 成像 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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