[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911351120.5 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035772A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李佳龙;王蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供介电层；于介电层内形成互连通孔及低介电常数材料层，互连通孔包括第一通孔部及第二通孔部；第二通孔部位于第一通孔部的下方，且与第一通孔部相连通；低介电常数材料层至少位于第一通孔部的侧壁；于互连通孔内形成导线层，导线层包括第一导线部及第二导线部；第二导线部填充于第二通孔部内，第一导线部填充于第一通孔部内，且与第二导线部一体连接。使得相邻两导线层之间的寄生电容减小，工艺易于操作与控制，因此能够准确的控制工艺过程，达到有效减小半导体结构中同层相邻铜线之间的寄生电容的效果，提升器件的可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
