[发明专利]一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法有效
| 申请号： | 201911351215.7 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111081505B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈军;黄佳;邓少芝;许宁生;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源，包括衬底、绝缘层、底层分段阴极电极、底层栅极电极、刻蚀通孔、顶层环状阴极电极、顶层内部栅极电极、顶层外部环状栅极电极、生长源薄膜、纳米线冷阴极、聚焦电极，所述顶层内部栅极电极与顶层外部环状栅极电极通过刻蚀通孔与底层栅极电极相连，所述顶层环状阴极电极通过刻蚀通孔分别与底层分段阴极电极相连，还公开了一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源的制备方法。该纳米冷阴极电子源具有强栅控电子发射能力、电子束聚焦能力且具有可行列寻址的共面双栅聚焦结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共面双栅 聚焦 结构 纳米 阴极 电子 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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