[发明专利]用于纳米厚度SiO2厚度的差分反射光谱测量方法有效
| 申请号： | 201911351705.7 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111076668B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 霍树春;胡春光;王浩;沈万福;姚程源;曲正;武飞宇;胡晓东;胡小唐 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于纳米厚度SiO2厚度的差分反射光谱测量方法，包括以下步骤：制备标准样品：制备SiO2层厚为100nm标准样品，对SiO2表面粗糙度Sa值进行检定；确定标准样品的厚度值和光学常数；确定测量装置的透光系数；建立差分光谱测量的多层膜光学模型：将待测样品定义为空气层—SiO2粗糙层—SiO2层—过渡层—Si基底层的多层膜光学模型；建立差分光谱测量的多层膜材料物理模型；获取待测样品SiO2膜层的厚度值：使用差分光谱测量方法获得标准样品和待测样品的差分光谱曲线，利用光谱数据曲线拟合算法对多层膜中各层的厚度进行反演运算，获得SiO2层的厚度值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 厚度 sio2 反射 光谱 测量方法 | ||
【主权项】：
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