[发明专利]硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201911352014.9 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111155071B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;蒋梅燕;陈成克;李晓 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C14/48;C23C14/58;C23C28/04 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;朱思兰 |
| 地址： | 310014 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD‑G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 纳米 金刚石 石墨 复合 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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