[发明专利]一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法

摘要

本发明公开了一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法，涉及半导体技术领域，通过将称重模块放置在衬底的下方，测量所述衬底的原始质量和所述衬底的原始表面积；将第一前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第一质量，用第一惰性气体吹扫所述真空腔室测量所述衬底的第二质量；将第二前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第三质量，用所述第一惰性气体吹扫所述真空腔室获得原子层沉积薄膜，测量所述衬底的第四质量；根据所述原子层沉积薄膜的密度计算所述原子层沉积薄膜的第一厚度，达到了采用在线测量衬底质量变化，更精确的测出衬底各处的薄膜厚度，保证器件整体具有良好包覆性的技术效果。