[发明专利]离子注入机台中离子源头的结构有效
| 申请号： | 201911353080.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029235B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 谢石谦;丁杰;何春雷 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入机台中离子源头的结构，包括起弧室、反射极和纯钨小挡板，所述起弧室包括石墨端板和石墨腔主体，所述石墨端板形成有凹槽，所述石墨腔主体压装在所述纯钨小挡板和所述石墨端板上，所述石墨端板和所述纯钨小挡板的中心处均形成有通孔，所述纯钨小挡板和所述石墨端板之间设有第一绝缘挡板，所述纯钨小挡板和所述石墨腔主体靠近所述石墨端板的端部之间设有第二绝缘挡板，所述第一绝缘挡板和所述第二绝缘挡板的中心处均形成有供反射极的端子部穿过的通孔。本发明可以有效解决peeling发生时反射极与纯钨小挡板导通而导致反射极与起弧室之间导通的问题，从而延长离子源头的使用寿命以及机台的维修周期。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机台 源头 结构 | ||
【主权项】：
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