[发明专利]改善超厚金属互连工艺晶圆平整度的方法在审
| 申请号： | 201911353151.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128868A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 冯俊伟;李德平 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超厚金属互连工艺晶圆平整度的方法，其中，在器件层上沉积第一阻挡层；在第一阻挡层上沉积第一介电层，所述第一介电层为高应力PEOX膜；在第一介电层上沉积第二阻挡层；旋涂光刻胶，进行曝光显影；进行光刻和干刻，在第二阻挡层、第一介电层和第一阻挡层形成通孔；在所述通孔中填充金属层；进行化学机械抛光，去除所述金属层高于所述第一介电层的部分以及所述第二阻挡层在所述金属层以及所述第一介电层上沉积第三阻挡层；在所述第三阻挡层上沉积第二介电层，所述第二介电层为高应力PEOX膜。本发明采用高应力的PEOX膜对晶圆的平整度进行调整，这样可以保证超厚金属电镀后晶圆应力得到优化，可以顺利实现后续的光刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 互连 工艺 平整 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
