[发明专利]一种异质结光伏器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911353348.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110993743A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 马立云;姚婷婷;李刚;沈洪雪;彭赛奥;金克武;王天齐;杨扬;王东;汤永康;甘治平;时君;黄海青;程国送 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3065;H01L31/0236;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/074 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种异质结光伏器件的制备方法，包括以下步骤：S1、取p型晶硅作为衬底，采用离子束刻蚀工艺或臭氧氧化刻蚀工艺在衬底顶面制作绒面结构；S2、采用磁控溅射工艺或蒸镀工艺在衬底的底面沉积背电极；S3、采用磁控溅射工艺在衬底的顶面沉积n型发射膜层；S4、采用磁控溅射工艺在n型发射膜层顶面沉积透明导电层；S5、采用磁控溅射工艺在透明导电层顶面沉积前电极，得到异质结光伏器件；方法得到的异质结光伏器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点，增强异质结光伏器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结光伏 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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