[发明专利]一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2

摘要

本发明公开一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法，包括以下步骤：a、采用单晶硅片为衬底，清洗衬底，去除衬底表面的污垢；b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内，离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶；c、启动离子束辅助沉积系统，先使用钨靶，在衬底表面沉积氧化钨薄膜；然后使用锆靶，在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜；d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉，在1000℃的氧气气氛中退火3小时，使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散；然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜；该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备，并且不需要另外制作混合靶材，方法简单、可控性强。