[发明专利]一种蚀刻后的表面防氧化处理装置有效
| 申请号： | 201911353419.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111162026B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 沈方晨 | 申请（专利权）人： | 绍兴华立电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 绍兴越牛专利代理事务所(普通合伙) 33394 | 代理人： | 王剑 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市袍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻后的表面防氧化处理装置，涉及防氧化技术领域。该蚀刻后的表面防氧化处理装置，包括液压仓A，所述液压仓A包括液压仓A内壁，所述液压仓A内壁与活塞C为密封活塞连接，所述活塞C的顶端与活塞传动杆A的底端固定连接，所述活塞传动杆A的顶端与活塞A的底端固定连接，所述活塞A与液压仓C为密封活塞连接，所述液压仓C的内部设置有活塞挡板，该蚀刻后的表面防氧化处理装置能够实现单种药剂不停机作业，大大的提高了工作效率，提升了产品的品质，该蚀刻后的表面防氧化处理装置能够实现不同工艺的生产需要，当生产工艺需要两种或以上的药剂的时候可以实现多种药剂依次对所需产品进行防氧化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 表面 氧化 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
