[发明专利]包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件在审
申请号: | 201911353740.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN112117282A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 千志成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。该三维闪存器件包括:下部字线堆叠和上部字线堆叠;单元沟道结构;以及虚设沟道结构,其中单元沟道结构包括:下部单元沟道结构;上部单元沟道结构;以及单元沟道扩大部分,其在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间并具有比下部单元沟道结构的宽度大的宽度,其中虚设沟道结构包括:下部虚设沟道结构;上部虚设沟道结构;以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分,虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的宽度大的宽度,其中虚设沟道扩大部分的宽度和下部虚设沟道结构的宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的宽度和下部单元沟道结构的宽度之间的差异。 | ||
搜索关键词: | 包括 具有 扩大 部分 沟道 结构 三维 闪存 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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