[发明专利]量子点及其表面改性的方法和量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201911354258.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113025309A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;刘文勇 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点材料技术领域，尤其涉及一种量子点表面改性的方法，包括步骤：获取量子点溶液；获取带有苯环的卤化铵配体前驱体溶液；获取非配位溶剂，将所述量子点溶液、所述带有苯环的卤化铵配体前驱体溶液和所述非配位溶剂混合，在预设温度的惰性气体氛围下反应，分离得到改性后的量子点。本发明提供的量子点表面改性的方法，使改性后的量子点表面接枝有带有苯环的卤化铵配体，能够在不影响量子点的光学性能的前提下显著提高量子点的稳定性和分散性，同时提高载流子的传输性能，从而提高量子点的荧光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 及其 表面 改性 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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