[发明专利]一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法有效

专利信息
申请号: 201911354459.0 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN110983432B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 李辉;张熠;穆童;秦英谡;毛洪英 申请(专利权)人: 南京晶升能源设备有限公司
主分类号: C30B15/26 分类号: C30B15/26;C30B29/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张弛
地址: 211113 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法,在坩埚上方设有三个摄像机,以计算机测量图像中固相硅的面积,通过摄像机及计算机实时测量液面状况,当发现液面出现液态和固态的变动就会给PLC发出信号,让PLC判断液面熔化情况和晶体结晶,当熔化完成,自动切换到生长状态,当生长完成,自动切换至退火状态,完全不用人工介入,避免由于人工介入误操作引起的良率损失。本发明能够直接准确测量晶体熔化速度和晶体结晶速度,提供硅材料生长过程中的数据,真正实现全工艺过程自动化进行。
搜索关键词: 一种 半导体 材料 晶体生长 图像 识别 控制 方法
【主权项】:
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