[发明专利]一种垂直集成单元发光二极管有效
| 申请号： | 201911354880.1 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113036014B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;蒋振宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/64;H01L33/10;H01L27/15;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直集成单元发光二极管，包括：远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，所述第二导电类型电极线沿所述第二导电类型层之上的沟槽延伸，相邻二极管单元垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定；所述n个二极管单元包括电流阻挡层和保护金属层，所述保护金属层内设置反射镜，所述电流阻挡层嵌置于保护金属层与反射镜内。本发明有效地阻挡了电流在垂直方向的扩散，而单元二极管以较高自由度的几何优化和足够小的微纳结构设计，促进电流的横向扩散，解决了电流扩散不均匀导致的发光不均匀问题，提高了光电转换效率/流明效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 集成 单元 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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