[发明专利]一种薄膜垂直集成单元二极管芯片有效
| 申请号： | 201911354891.X | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113036009B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;蒋振宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 广东省深圳市南山区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜垂直集成单元二极管芯片，包括：保护金属层，反射镜，第二导电类型层，第二导电类型电极，量子阱有源区，第一导电类型层，绝缘介质层，第一导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，沟槽结构位于二极管单元之间；相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定。本发明提供的薄膜二极管芯片大大降低了二极管芯片厚度，提高了二极管芯片散热性能的同时解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 垂直 集成 单元 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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