[发明专利]一种锗基叠层太阳电池及制备方法

摘要

本发明涉及一种锗基叠层太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：包括基于GaAs衬底反向生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs四结太阳电池；基于Ge衬底正向生长的晶格失配的GayIn1‑yAs/Ge双结太阳电池；所述四结太阳电池和双结太阳电池采用键合的方法集成为AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs/GayIn1‑yAs/Ge六结太阳电池。在上述技术方案中，锗基叠层太阳电池的外延过程仅涉及两个晶格渐变缓冲层，且该六结太阳电池的部分器件制备工艺可以与目前技术应用成熟的Ge基三结太阳电池器件工艺相兼容，有助于降低电池的制备难度和成本。