[发明专利]一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911355731.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081763B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;孙楠;孙仲豪;赵程 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 马庆朝 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术方案：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN层、插入层、势垒层和栅介质层，所述势垒层局部区域刻蚀有若干蜂窝凹槽，所述i‑GaN层一侧刻蚀成阶梯层，在所述阶梯层上设置源电极，所述i‑GaN层另一侧设置漏电极，所述势垒层上方设置栅介质层，所述栅介质层一端与所述漏电极接触连接、另一端覆盖并生长到所述蜂窝凹槽中、并且延伸至所述源电极，所述栅介质层上方、在所述蜂窝凹槽对应区域设置栅电极，所述栅电极向所述源电极方向延伸。有益效果:本发明能够实现HEMT器件稳定的、大的阈值电压和低导通电阻的常关型操作，同时有效降低器件的关态漏电和提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 下方 具有 蜂窝 凹槽 势垒层 结构 常关型 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911355731.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超级锂离子电池电容器
- 下一篇：一种除泥前置节水节能型砂石骨料水洗系统
- 同类专利
- 专利分类
