[发明专利]3D存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911355935.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111146209A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 夏季;霍宗亮;周文斌;徐伟;黄攀;徐文祥 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该方法包括在半导体衬底上形成栅叠层结构；形成贯穿栅叠层结构的多个沟道柱；形成未贯穿栅叠层结构的至少一个第一顶部选择栅隔离槽；形成贯穿栅叠层结构的至少一个第一栅线隔离槽，用于将存储区划分为多个子区域，多个沟道柱分别位于一个子区域内；在每个子区域内形成分别贯穿栅叠层结构的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构与第二导电结构经第一顶部选择栅隔离槽电连接。避免了存储区栅叠层结构变形或倾斜。并且第一导电结构和第二导电结构分别与半导体衬底接触降低了导电结构的横向电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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