[发明专利]一种下电极组件、等离子体处理器有效
| 申请号： | 201911356890.9 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035683B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 耿振华;张洁;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;章丽娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理器，下电极组件位于等离子体处理器的反应腔内，下电极组件包含基座、用于控制基片温度的中间层和用于支撑基片的静电夹盘，中间层位于基座之上，静电夹盘位于中间层之上并与中间层进行热交换；静电夹盘包含中间部分，以及向下突出的边缘部分，静电夹盘的中间部分与边缘部分构成一内凹空间，供中间层嵌入，静电夹盘的边缘部分与中间层的至少部分的侧边缘接触。本发明增大了静电夹盘的边缘部分与中间层的接触面积，加强了热交换能力，能够有效降低等离子体处理过程中的静电夹盘边缘区域的局部过热情况的出现；同时改善边缘的等离子体方向性，使得等离子体鞘层的厚度和轮廓的均匀性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 等离子体 处理器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911356890.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
