[发明专利]避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构及方法在审
| 申请号： | 201911357057.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106525A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 林强;李德钊;黄宇翔 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/026;H05K9/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构及方法。本发明在下绝缘层上布置测温线圈、加热线圈、供电正电极引脚和负电极引脚；上绝缘层覆盖测温线圈和加热线圈，上绝缘层上布置有供电负电极。测温线圈为具有开口的圆环形，加热线圈为双涡旋曲线形，加热线圈位于测温线圈内。首先在基底上沉积下绝缘层，然后在下绝缘层上加工出测温线圈及引脚、加热线圈及引脚、供电正电极引脚，再在测温线圈和加热线圈上沉积上绝缘层，最后同时加工供电负电极及引脚。本发明利用交错的双涡旋曲线的加热线圈结构，可以减少加热线圈所占的面积，同时可以避免加热、测温电流产生磁场对器件引入的磁场干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 磁场 干扰 vecsel 激光器 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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