[发明专利]类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭在审
| 申请号： | 201911357098.5 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113026101A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王万胜;李林东;王全志;陈志军;丁云飞 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 胡彭年 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭，包括：在坩埚底部铺设籽晶层形成引晶层；在籽晶层上方装填硅料至坩埚的1/3至2/3高度之间；将磷合金铺设至硅料上形成掺杂层；继续装填硅料装至坩埚顶部；将坩埚装入铸锭炉，并将铸锭炉抽真空且在氩气保护下加热使硅料熔化；采用定向凝固法使硅料长晶直至形成类单晶硅锭。本发明类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭可保证磷合金全部融化均匀地扩散至硅料中，从而提升类单晶硅锭的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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