[发明专利]一种极低剖面微带叠层双极化基站天线及阵列有效

专利信息
申请号: 201911357214.3 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN110957576B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 陈益凯;卢笑池;杨仕文 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/04;H01Q21/24
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 张秀敏
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种极低剖面微带叠层双极化基站天线及阵列,属于天线领域,具体包括刻蚀了方环缝隙的地板、十字形开槽的辐射贴片、多枝节馈电结构、十字形开槽的堆叠贴片以及三层介质板。一方面,本发明所述的微带叠层双极化天线引入了新型多枝节馈电结构和十字形开槽的堆叠贴片,实现了天线平衡馈电,拓展了天线带宽。另一方面,十字形开槽的辐射贴片和刻蚀出方环缝隙的天线地板共同抑制了端口之间的耦合电流,提高了天线端口的隔离度。本发明天线阵列具有端口隔离度高、剖面低、结构简约和易于加工组装等优点,能够很好地应用于5G新型基站。
搜索关键词: 一种 剖面 微带 叠层双 极化 基站 天线 阵列
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