[发明专利]一种Csn有效

专利信息
申请号: 201911357679.9 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111129319B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 赵一新;钱旭芳;王兴涛;刘晓敏;王勇;张太阳;陈皓然;史杰琳;武敏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H10K71/12 分类号: H10K71/12;C07C257/12;H10K71/40
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种CsnFA1‑nPbX3钙钛矿薄膜的制备方法,为一种相分离抑制的高质量CsnFA1‑nPbI3(0n≤1)钙钛矿薄膜的制备方法;所述方法包括如下步骤:S1、将CsX、FAX、PbX2和DMAX混合,溶于溶剂中,得前驱体溶液A;S2、将所述前驱体溶液A涂覆于基片上,涂覆后的基片退火除去溶剂和DMAX即得所述稳定的CsnFA1‑nPbX3钙钛矿薄膜;其中X为卤素,0n≤1。通过该方法制备得到的CsnFA1‑nPbX3钙钛矿薄膜未出现相分离,结晶性高,表面致密平整,相稳定性高,具有操作便利,成本较低等特点,便于工厂规模化生产。
搜索关键词: 一种 cs base sub
【主权项】:
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