[发明专利]一种MOSFET功率半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911360298.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111009471A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李想;金恩泽 | 申请（专利权）人： | 爱特微（张家港）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 肖玲珊 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET功率半导体器件的制备方法，属于电子器件技术领域，本发明制备功率半导体器件中JFET区域需要通过离子注入以降低JFET区域的电阻率实现降低JFET电阻，可以根据产品需求调整JFET区域的注入剂量，在实现JFET区域电阻减小的同时，也减小了积累层电阻，从而大大降低功率半导体的导通电阻，克服了一般工艺JFET注入剂量受其它区域的影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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