[发明专利]一种碳纳米管场发射阴极的小型离子源在审

专利信息
申请号: 201911360686.4 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111146049A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 董猛;成永军;裴晓强;习振华;张虎忠;马亚芳;刘珈彤 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: H01J1/304 分类号: H01J1/304;H01J1/46;H01J49/16
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 田亚琪
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种碳纳米管场发射阴极的小型离子源,包括碳纳米管阴极、电离室、准直磁铁、推斥电极、聚焦电极、离子出口电极和物缝电极;碳纳米管阴极产生的电子进入电离室,并在准直磁铁产生的磁场作用下电离中性气体,电离得到的离子束依次在推斥电极、电离室、聚焦电极、离子出口电极和物缝电极所加载电压产生的静电场的作用下,加速、聚焦于物缝电极的圆孔处;本发明能够在真空环境下具备较高的电子利用率和离子传输效率,进而提高离子源灵敏度。
搜索关键词: 一种 纳米 发射 阴极 小型 离子源
【主权项】:
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