[发明专利]减小关键尺寸漂移的方法有效
申请号: | 201911360926.0 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN110928136B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 倪念慈;朱忠华;姜立维 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种减小关键尺寸漂移的方法,其特征在于,包括:设计多个测试光罩,每个所述测试光罩包含多个图形,多个所述测试光罩包含不同的多个图形;根据测试光罩图形上各组测试图形的周长和密度的关系,建立刻蚀预测模型;使用刻蚀预测模型上线生产,预测产品刻蚀的关键尺寸漂移;根据预测的关键尺寸漂移修正测试光罩的图形的周长和线宽。在掩膜板出版前,通过刻蚀预测模型与冗余图形填充相结合的方法,修正测试光罩的图形的周长和线宽,最后以修正后的测试光罩的图形出版掩膜板,快速解决刻蚀关键尺寸漂移的问题,避免了晶圆的返工率和废弃率,有利于刻蚀关键尺寸的稳定,改善刻蚀晶圆的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 减小 关键 尺寸 漂移 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911360926.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种木板表面浅层均匀碳化装置
- 下一篇:一种继电器测试工装
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备