[发明专利]半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911361210.2 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111082310A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 潘华东;靳嫣然;周立;王俊;闵大勇;廖新胜 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法，半导体激光器制冷结构包括自下而上依次设置的下盖片、回水片、分水片、微通道散热片、上盖片，上盖片包括：绝缘层；第一台阶金属层，设置在绝缘层上；第二台阶金属层，设置在绝缘层上；其中，下盖片、回水片、分水片、微通道散热片、绝缘层、第二台阶金属层上分别设置有同轴的冷却水道，冷却水道周围通过焊接密封；上盖片的长度小于微通道散热片的长度，第二台阶金属层的厚度大于第一台阶金属层的厚度。采用该半导体激光器制冷结构的半导体激光器，可以采用密封焊接的方式将各半导体激光器进行连接形成半导体激光器阵列，实现各半导体激光器之间严格密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制冷 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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