[发明专利]SRAM单元和SRAM存储器在审

专利信息
申请号: 201911362548.X 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111028874A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 吴浩 申请(专利权)人: 苏州腾芯微电子有限公司
主分类号: G11C11/412 分类号: G11C11/412;G11C11/419;G11C7/10
代理公司: 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 代理人: 宋俊华
地址: 215000 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种SRAM单元,包括:第一存储节点、第二存储节点、第一传输管、第二传输管、第三传输管、第四传输管、第五传输管、第一字线、第二字线、第三字线和位线;第一存储节点依次通过第一传输管和第三传输管后接地,第二存储节点依次通过第二传输管和第三传输管后接地,位线依次通过第四传输管和第五传输管后接地,第一传输管由第一字线控制导通或关断,第二传输管由第二字线控制导通或关断,第三传输管和第四传输管由第三字线控制导通或关断,第五传输管由第二存储节点控制导通或关断。本发明的SRAM单元,其对数据锁存器进行写操作时,可不需要位线的辅助。
搜索关键词: sram 单元 存储器
【主权项】:
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