[发明专利]写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法在审
| 申请号： | 201911362552.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111081298A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴浩 | 申请（专利权）人： | 苏州腾芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 | 代理人： | 宋俊华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种写操作不需要位线辅助的SRAM单元读写操作方法，对数据锁存器写0时，第一字线控制第一传输管导通，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第三传输管导通；对数据锁存器写1时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管导通，第三字线控制第三传输管导通；读取数据锁存器中的数据时，第一字线控制第一传输管关断，第二字线控制第二传输管关断，第三字线控制第四传输管导通，且位线初始设置为高电平。本发明对数据锁存器进行写操作时，可不需要位线的辅助。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 不需要 辅助 sram 单元 读写 操作方法 | ||
【主权项】：
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