[发明专利]晶圆的测试方法在审
申请号: | 201911363074.0 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111128779A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 吴苑 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆测试方法,其测试程序包含主测试流程及子测试流程:所述主测试流程,包含测试项目1~N等若干个一级分Bin测试项目,依据一级分bin测试项目对晶圆进行依次测试;所述子测试流程,包含若干个个性测试项目,为一级分Bin测试项目下的失效诊断测试项目;所述主测试流程对晶圆进行快速筛选;根据主测试流程的测试项目结果选择进入该级的子测试流程,子测试流程在测试完成后输出二级分Bin标号。本发明在一级的主测试流程后增加二级的子测试流程,对一级测试程序后的芯片可进行进一步的个性化测试,获取更多的芯片测试数据,能获取更多的失效信息,同时可最大化的增加测试项目对晶圆进行更彻底的测试。 | ||
搜索关键词: | 测试 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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