[发明专利]嵌入结构的MIM电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201911363247.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128957B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入结构的MIM电容，层间膜形成在第一层金属连线和第二层金属连线之间；MIM电容形成于层间膜表面且包括依次叠加的电容下电极、电容绝缘介质层和电容上电极；电容下电极通过底部第一通孔和第一层金属连线连接，第一层金属连线延伸到电容下电极外部并通过位于电容下电极外部第二通孔将第一层金属连线连接到第二层金属连线形成的下电极引出结构；在MIM电容的侧面形成有侧墙；第二层金属连线形成的上电极引出结构覆盖在MIM电容的所述电容上电极的表面并延伸到MIM电容外的层间膜表面；上电极引出结构和电容下电极通过侧墙隔离。本发明还公开了一种嵌入结构的MIM电容的制造方法。本发明能提高电容的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 结构 mim 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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