[发明专利]一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法有效
| 申请号： | 201911363265.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110988104B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 何康昊;王泽骥;冯兴文;安永涛;姜飞;曾甯;陈克琳;蔡金光;罗军洪 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 钟显毅 |
| 地址： | 610200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双校正的氢同位素气体四极质谱分析法，包括以下步骤：步骤S1、利用单一成分氢同位素高纯标准气体测得其在质谱离子源中的解离系数；步骤S2、测得氢同位素混合气体在各质量数处由分子离子及与分子离子质量接近的碎片离子综合贡献的质谱峰信号强度；步骤S3、根据测得的解离系数，计算出待测氢同位素气体成分分子离子单独贡献的质谱峰信号强度；步骤S4、降低氢同位素混合气体样品与对应标准气体的基体干扰；步骤S5、计算定量分析不确定度。本发明通过谱峰重叠校正方程算得氢同位素混合气体中各分子离子峰信号强度，解决了峰重叠导致定量分析不准确的问题；通过基体校正，绘制标准曲线，最大限度消除基体不匹配的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 校正 氢同位素 气体 四极质 谱分析 | ||
【主权项】：
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