[发明专利]一种单晶LiNbO3 有效
| 申请号： | 201911364219.9 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111063800B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 帅垚;梁翔;王杰军;乔石珺;秦霞;杨小妮 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO |
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| 搜索关键词： | 一种 linbo base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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