[发明专利]优化热铝填孔能力的制备方法在审
| 申请号： | 201911364888.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128869A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 石基;周军;李亚 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种优化热铝填孔能力的制备方法。优化热铝填孔能力的制备方法，包括以下步骤：提供刻蚀有待填孔的基底；在第一温度下，进行至少一次脱气工艺，去除待填孔中的水气和有机残留物；在所述待填孔的侧面和底面生长扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上生长浸润层；在所述浸润层上生长冷铝种籽层；在第二温度下，通过物理气相沉淀法，在覆盖有所述扩散阻挡层、浸润层和冷铝种籽层的待填孔中生长热铝层。本发明提供的优化热铝填孔能力的制备方法可以解决相关技术中铝填孔易产生空隙与空洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 热铝填孔 能力 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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