[发明专利]一种采用溴化铯衬底制备钴掺杂钙钛矿太阳能电池的方法有效
申请号: | 201911365105.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111106207B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 诸跃进;王晨阳;龙涌金;张京;胡子阳 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0392 |
代理公司: | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少华 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用溴化铯衬底制备钴掺杂钙钛矿太阳能电池的方法,包括以下步骤,在导电玻璃层的表面旋涂电子传输层,配置溴化铯溶液,旋涂至电子传输层表面,以形成溴化铯衬底,配置溴化铅溶液,旋涂至溴化铯衬底的表面,以形成溴化铅层,配置钴掺杂溴化铯溶液,并采用多步旋涂法旋涂至溴化铅层上,以使得溴化铅层转换成钴掺杂钙钛矿层,在钴掺杂钙钛矿层表面刮涂碳电极。溴化铯作为衬底,能够有效对其上层的溴化铅层进行支撑,并在后续溴化铅层转换成钴掺杂钙钛矿层的过程中,逐步减少钴掺杂钙钛矿层表面缺陷,抑制钴掺杂钙钛矿层表面晶界的形成,从而抑制载流子的复合。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 溴化铯 衬底 制备 掺杂 钙钛矿 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的