[发明专利]测量掩埋层在审
| 申请号： | 201911366313.8 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111380827A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | Z·B·埃泽尔 | 申请（专利权）人： | 康特科技公司 |
| 主分类号： | G01N21/33 | 分类号： | G01N21/33 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 以色列米格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及测量掩埋层。提供一种检查对象的顶部再分配层导体的方法。顶部再分布层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上。该方法包括(i)用辐射照射对象，该至少一个下介电层显著吸收该辐射；(ii)由检测器产生表示从对象反射的辐射的检测信号，以及(iii)由处理器处理所述检测信号以提供关于该顶部RDL的信息。该处理包括区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下RDL相关的检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 掩埋 | ||
【主权项】：
暂无信息
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